[发明专利]一种高热电性能元素半导体热电材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201610379040.0 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN106058032A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 裴艳中;李文;林思琪 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/34;C01B19/04 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种高热电性能元素半导体热电材料及其制备方法，该元素半导体热电材料为p型各向同性的多晶半导体块体，化学式为Te1‑xAx，其中，A选自P、As、Sb或Bi中的一种，x＝0～0.03；制备方法以纯度大于99.99％的单质为原料，按化学式的化学计量比进行配料，通过真空封装、熔融，制得Te1‑xAx块体材料，然后经热处理、研磨、加压烧结，冷却制得。与现有技术相比，本发明具有能带结构嵌套特性的元素半导体热电材料，在300～700K具有高的热电优值zT，并在700K达到1.0，填补了该温区内元素半导体热电材料的空白。并且制备工艺简单，周期短，可控性强，相组成单一且稳定，具有良好的产业化前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 热电 性能 元素 半导体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高热电性能元素半导体热电材料，其特征在于，该元素半导体热电材料为p型各向同性的多晶半导体块体，化学式为Te1‑xAx，其中，A选自P、As、Sb或Bi中的一种，x＝0～0.03。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同济大学，未经同济大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610379040.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高效单晶光伏组件的切方机
- 下一篇：应用于超声电主轴的电磁无线传输装置
