[发明专利]一种利用激光切割制备蓝宝石衬底LED芯片的方法

摘要

一种利用激光切割制备蓝宝石衬底LED芯片的方法，通过固定蓝宝石衬底晶格结构方向，并制作与之方向对应的光刻晶粒图形，配合隐形切割激光频率、功率、焦深、平台移动速度，扩大了激光打点间距,尤其是扩大了晶粒长边激光打点间距,减少对蓝宝石晶格结构的破坏，减少了对光线出射的阻挡，提高外量子效率，从而提高了LED芯片的亮度。

主权项

1.一种利用激光切割制备蓝宝石衬底LED芯片的方法，其特征在于，该方法包括：(1)在c‑Plane蓝宝石衬底上长有外延发光层的外延片，并在外延片上蒸镀透明电极层，在所述透明电极层上进行晶粒图形光刻，形成多个具有相同周期的晶粒图形，晶粒图形以矩形为单元，排满整个芯片，使所述晶粒图形的长边方向垂直于蓝宝石衬底的解理边方向，即a‑Plane面；(2)利用现有工艺流程对LED芯片的晶圆进行刻蚀、P、N电极蒸镀，剥离、退火和研磨；通过隐形切割激光对LED芯片进行切割：在晶粒图形的长边侧进行激光打点，所述激光打点的间距为12‑20μm；在晶粒图形的短边侧进行激光打点，所述激光打点的间距为7‑10μm；激光打点深度为LED芯片厚度的(1/5)‑(1/2)、且靠近蓝宝石衬底，激光打点释放的应力延伸到所述LED芯片表面，形成近似直线的裂痕；(3)对LED芯片沿步骤(2)所述裂痕方向施以外力，使LED芯片分隔成独立的发光单元；所述晶粒图形的长边和短边满足以下参数：1＜(长边长度：短边长度)＜12。