[发明专利]CMOS集成期间用密闭外延生长技术形成源极和漏极接点的方法

摘要

本发明涉及CMOS集成期间用密闭外延生长技术形成源极和漏极接点的方法，具体包括于相同的第一外延生长程序期间，在相邻的一对第一虚设栅极结构之间形成第一密闭隆起源极和漏极区，并且在相邻的一对第二虚设栅极结构之间形成第二密闭隆起源极和漏极区，第一与第二密闭隆起源极和漏极区包括第一半导体材料。之后，进行取代金属栅极程序，以各别对第一与第二取代栅极结构取代所述对第一与第二虚设栅极结构。在进行取代金属栅极程序之后，对第一密闭隆起源极和漏极区形成第一接触元件，进行第二外延生长程序以在第二密闭隆起源极和漏极区上面形成第二半导体材料层，并且对此第二半导体材料层形成第二接触元件。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，其包含：于相同的第一外延生长程序期间，在相邻的一对第一虚设栅极结构之间形成第一密闭隆起源极和漏极区，并且在相邻的一对第二虚设栅极结构之间形成第二密闭隆起源极和漏极区，该第一与第二密闭隆起源极和漏极区包含第一半导体材料；于形成该第一与第二密闭隆起源极和漏极区之后，进行取代金属栅极程序，用来以各别对第一与第二取代栅极结构取代该对第一与第二虚设栅极结构；在进行该取代金属栅极程序之后，对该第一密闭隆起源极和漏极区形成第一接触元件，进行第二外延生长程序以在该第二密闭隆起源极和漏极区上面形成第二半导体材料层，并且对该第二半导体材料层形成第二接触元件。