[发明专利]蚀刻方法

摘要

本发明提供蚀刻方法。该方法是对第一区域和第二区域进行蚀刻的方法。所述第一区域具有：第一电介质膜与为氮化硅膜的第二电介质膜交替层叠而构成的多层膜。所述第二区域具有单层的氧化硅膜。[解决手段]一个实施方式的方法包括：第一等离子体处理工序：在等离子体处理装置的处理容器内生成包含全氟烃气体和氧气的第一处理气体的等离子体；以及第二等离子体处理工序：在处理容器内生成包含氢气、三氟化氮气体和含碳气体的第二处理气体的等离子体。该方法中，第一等离子体处理工序中，静电卡盘的温度被设定为第一温度；第二等离子体处理工序中，静电卡盘的温度被设定为低于第一温度的第二温度。

主权项

1.一种蚀刻方法，其是对被处理体的第一区域和第二区域进行蚀刻的方法，该第一区域具有：第一电介质膜与第二电介质膜交替层叠而构成的多层膜，该第二电介质膜为氮化硅膜；该第二区域具有单层的氧化硅膜；该被处理体具有在该第一区域和该第二区域上提供开口的掩膜，该方法包括：将所述被处理体载置于等离子体处理装置的处理容器内设置的静电卡盘上的工序；在所述处理容器内生成包含全氟烃气体和氧气的第一处理气体的等离子体并且对所述第一区域和第二区域进行蚀刻的工序；以及在所述处理容器内生成包含氢气、三氟化氮气体和含碳气体的第二处理气体的等离子体并且对所述第一区域和第二区域进行蚀刻的工序，在生成第一处理气体的等离子体并且对所述第一区域和第二区域进行蚀刻的所述工序中，所述静电卡盘的温度被设定为第一温度；在生成第二处理气体的等离子体并且对所述第一区域和第二区域进行蚀刻的所述工序中，所述静电卡盘的温度被设定为低于所述第一温度的第二温度。