[发明专利]掺杂方法在审
| 申请号： | 201610364858.5 | 申请日： | 2016-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107437499A | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 金光耀;何川;王懿喆;洪俊华;陈炯;孟浩繁 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/225;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所31283 | 代理人： | 薛琦,王聪 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺杂方法，包括S1对硅衬底双面制绒，该硅衬底包括第一表面以及与该第一表面相对的第二表面；S2在该第一表面上形成含有P型掺杂元素的掺杂剂源；S3在第一温度下热处理步骤S2得到的结构使得掺杂剂源中的P型掺杂元素被扩散推进至第一表面侧的硅衬底中形成P型掺杂层；S4对该第二表面进行N型掺杂元素的注入；S5在第二温度下热处理步骤S4得到的结构以推进注入的N型掺杂元素由此在第二表面侧的硅衬底中形成N型掺杂层。本发明以离子注入和掺杂源热推进来代替常规工艺中的热扩散掺杂，省去了热扩散掺杂之后的两道刻蚀工序。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种掺杂方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1：对硅衬底双面制绒，该硅衬底包括第一表面以及与该第一表面相对的第二表面；S2：在该第一表面上形成含有P型掺杂元素的掺杂剂源；S3：在第一温度下热处理步骤S2得到的结构使得掺杂剂源中的P型掺杂元素被扩散推进至第一表面侧的硅衬底中形成P型掺杂层；S4：对该第二表面进行N型掺杂元素的注入；S5：在第二温度下热处理步骤S4得到的结构以推进注入的N型掺杂元素由此在第二表面侧的硅衬底中形成N型掺杂层，该第一温度大于该第二温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
