[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在其上形成有由浮栅和控制栅构成的栅极结构，在栅极结构的两侧形成有侧壁；在半导体衬底上形成层间介电层，覆盖栅极结构和侧壁；在位于存储单元区的非有源区的层间介电层中形成第一通孔，并在第一通孔中填充第一阻挡层；回蚀刻第一阻挡层，直至露出控制栅的上部侧壁；在露出的控制栅的上部侧壁上形成金属硅化物；形成第二阻挡层，以填充位于第一阻挡层上方的开口；在层间介电层中形成电性连接存储单元区的源区的接触塞；在层间介电层中形成露出接触塞和控制栅的第二通孔；在第二通孔中形成上部电性连接字线的引线层。根据本发明，可以有效降低字线的阻抗。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有由浮栅和控制栅构成的栅极结构，在所述栅极结构的两侧形成有侧壁；在所述半导体衬底上形成层间介电层，覆盖所述栅极结构和侧壁；在位于存储单元区的非有源区的所述层间介电层中形成第一通孔，并在所述第一通孔中填充第一阻挡层；回蚀刻所述第一阻挡层，直至露出所述控制栅的上部侧壁；在所述露出的控制栅的上部侧壁上形成金属硅化物；形成第二阻挡层，以填充位于所述第一阻挡层上方的开口；在所述层间介电层中形成电性连接存储单元区的源区的接触塞；在所述层间介电层中形成露出所述接触塞和控制栅的第二通孔；在所述第二通孔中形成上部电性连接字线的引线层。