[发明专利]一种优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法有效
| 申请号： | 201610355204.6 | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN105826182B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 冯奇艳;许进;唐在峰;任昱;吕煜坤 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法，包括：第一步骤：在用于制造CMOS图像传感器产品的晶圆的背面形成处理层，所述处理层包含电浆辅助氧化物层、化学气相淀积氮化物层、或者电浆辅助氧化物层与化学气相淀积氮化物层的组合；第二步骤：使用炉管的方法在所述处理层上生长氮化硅层；第三步骤：利用所述氮化硅层作为硬掩膜，刻蚀沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 cmos 图像传感器 边缘 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于包括：第一步骤：在用于制造CMOS图像传感器产品的晶圆的背面形成处理层，所述处理层包含电浆辅助氧化物层与化学气相淀积氮化物层的组合；第二步骤：使用炉管的方法在所述处理层上生长氮化硅层；第三步骤：利用所述氮化硅层作为硬掩膜，刻蚀沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
