[发明专利]一种VDMOS芯片的测试装置及方法在审
| 申请号： | 201610346382.2 | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107422242A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R1/073 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种VDMOS芯片的测试装置及方法，所述装置包括并排设置的至少两个针卡；其中，所述至少两个针卡之间通过导线连接，且相邻两个针卡之间的间距与晶圆的第一方向上相邻两个垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管VDMOS芯片之间的间距相等。本发明能够实现同时对晶圆上同一排的至少两个芯片进行并行测试，则在不新增任何成本的前提下，大大缩短了小芯片的测试时间，降低了器件生产过程中的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 芯片 测试 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种VDMOS芯片的测试装置，其特征在于，所述装置包括：并排设置的至少两个针卡；其中，所述至少两个针卡之间通过导线连接，且相邻两个针卡之间的间距与晶圆的第一方向上相邻两个垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管VDMOS芯片之间的间距相等。
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