[发明专利]一种低温无压烧结氮化铝陶瓷的制备方法在审
申请号: | 201610344841.3 | 申请日: | 2016-05-24 |
公开(公告)号: | CN107417282A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 吴诚;刘久明;高勇 | 申请(专利权)人: | 河北高富氮化硅材料有限公司 |
主分类号: | C04B35/581 | 分类号: | C04B35/581;C04B35/64 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 054300 河北省邢*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供一种低温无压烧结氮化铝陶瓷的制备方法。本发明中的氮化铝陶瓷是以高纯氮化铝粉体为原料,采用透辉石粉体和氟化钇粉体为烧结助剂,烧结助剂的加入量为5wt%‑15wt%,采用低温无压烧结方式形成氮化铝陶瓷,所得的氮化铝陶瓷热导率大于200W/(m.k),三点抗折强度能达到300MPa以上。本发明具有工艺简单,成本低廉,适合工业化生产的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 低温 烧结 氮化 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种低温无压烧结氮化铝陶瓷的制备方法,包括配料、混合、造粒、成型和烧结,其特征在于:(1)以高纯氮化铝粉体与外加5wt%‑10wt%透辉石粉体和外加1wt%‑5wt%氟化钇为原料;(2)将步骤(1)备好的原料加入无水乙醇进行混合,然后置于100℃烘箱中烘干,再加入8wt%‑18wt%质量分数为5wt%的PVB无水乙醇溶液,混合均匀造粒,放入200‑400MPa压力下成型,在1500℃‑1650℃、保温1‑5h条件下得到氮化铝陶瓷。
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