[发明专利]包括阻挡层的存储器件有效

专利信息
申请号: 201610341241.1 申请日: 2016-05-20
公开(公告)号: CN106169477B 公开(公告)日: 2022-01-04
发明(设计)人: 郑元皙;李虎基;陈尚佑 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11521 分类号: H01L27/11521;H01L27/11526;H01L27/11568;H01L27/11573
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 弋桂芬
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种存储器件,该存储器件包括单元区域和邻近单元区域的外围电路区域。多个栅电极层和绝缘层层叠在衬底上于单元区域中,并且多个电路器件在外围电路区域中。第一层间绝缘层在衬底上于外围电路区域中并且覆盖所述多个电路器件,第二层间绝缘层在衬底上于单元区域和外围电路区域中。阻挡层在所述多个电路器件上于第一和第二层间绝缘层之间。阻挡层在第一层间绝缘层的上表面上,阻挡层的一侧表面由第二层间绝缘层覆盖。
搜索关键词: 包括 阻挡 存储 器件
【主权项】:
一种存储器件,包括:衬底,其包括单元区域;多个栅电极层和绝缘层,其层叠在所述衬底上于所述单元区域中;外围电路区域,其邻近于所述单元区域,并且包括所述衬底上的多个电路器件和所述多个电路器件上的阻挡层;以及层间绝缘层,其包括在所述衬底上于所述外围电路区域中并且覆盖所述多个电路器件的第一层间绝缘层、以及在所述衬底上于所述单元区域和所述外围电路区域中的第二层间绝缘层,其中所述阻挡层在所述第一层间绝缘层的上表面上,并且其中所述阻挡层的面向所述单元区域的侧表面由所述外围电路区域中的所述第二层间绝缘层覆盖。
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