[发明专利]一种铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法及铌掺杂二氧化钛透明导电膜有效
| 申请号： | 201610339521.9 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN105951053B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 邵国胜;胡俊华;陆柳;宋安刚;郭美澜;付振亚 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;C23C14/58;C23C14/08 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 牛爱周 |
| 地址： | 450001 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法及铌掺杂二氧化钛透明导电膜，该制备方法包括1)以氩气为等离子体气源，氧气为反应气体，采用远源等离子体溅射技术在衬底上溅射沉积薄膜得半成品；溅射靶材中Nb的原子数为Nb、Ti原子总数的2％～8％；氧气的体积流量为氩气体积流量的5％～20％，等离子体发射源功率为1100～2000W，靶材加速偏压功率为1300～1510W；2)将所得半成品进行晶化退火处理。所得透明导电膜致密均匀，平均可见光透过率高，电阻率低，具有良好的化学稳定性、机械强度和光电性能；本发明的制备方法溅射速度快，温度低，可重复性好，耗能低，具有广阔的市场前景。 1 | ||
| 搜索关键词： | 透明导电膜 二氧化钛 铌掺杂 制备 氩气 体积流量 半成品 氧气 等离子体发射源 致密 等离子体溅射 等离子体气源 可见光透过率 化学稳定性 反应气体 光电性能 溅射靶材 溅射沉积 可重复性 偏压功率 退火处理 电阻率 原子数 靶材 衬底 耗能 溅射 晶化 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1）以氩气为等离子体气源，以氧气为反应气体，采用远源等离子体溅射技术在衬底上溅射沉积薄膜，得半成品；所用溅射靶材中，Nb的原子数为Nb、Ti原子总数的2%～8%；溅射过程中，氧气的体积流量为氩气体积流量的5~7.6%，等离子体发射源功率为1100～2000W，靶材加速偏压功率为1300～1510W；2）将步骤1）所得半成品在280～400℃条件下进行晶化退火处理，即得。
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