[发明专利]上电复位电路有效
| 申请号： | 201610330481.1 | 申请日： | 2016-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN106027006B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 周宁 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种上电复位电路，包括：第一NMOS管和第一PMOS管；第一NMOS管的源极接地，第一NMOS管的栅漏极以及第一PMOS管的栅极连接在一起且通过第一电流路径连接到电源电压；第一PMOS管的源极通过第二电流路径连接到电源电压；第一PMOS管的漏极通过第三电流路径接地；第一PMOS管的漏极输出复位信号；第三电流路径的导通电流小于第二电流路径的导通电流；翻转电压为第一NMOS管和第一PMOS管的栅源电压的和。本发明能节省面积、降低功耗，能实现工艺跟随。 | ||
| 搜索关键词： | 复位 电路 | ||
【主权项】：
1.一种上电复位电路，其特征在于，包括：第一NMOS管和第一PMOS管；所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的栅极和漏极以及所述第一PMOS管的栅极连接在一起且通过第一电流路径连接到电源电压；所述第一PMOS管的源极通过第二电流路径连接到电源电压；所述第一PMOS管的漏极通过第三电流路径接地；所述第一PMOS管的漏极输出复位信号；所述第三电流路径的导通电流小于所述第二电流路径的导通电流；所述第一PMOS管的源极到地之间的电压差为所述第一NMOS管的栅源电压和所述第一PMOS管的栅源电压的叠加，所述第一NMOS管的栅源电压和所述第一PMOS管的栅源电压的和形成翻转电压；在上下电过程中，所述第一电流路径和所述第三电流路径都导通，当所述电源电压小于所述翻转电压时，所述第二电流路径截止，所述第一PMOS管的漏极电压通过所述第三电流路径拉低从而使所述复位信号为低电平；当所述电源电压大于所述翻转电压时，所述第二电流路径导通，所述第三电流路径和所述第二电流路径的导通电流进行比较而使所述第一PMOS管的漏极电压拉升到电源电压的值并输出随电源电压变化的所述复位信号。
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