[发明专利]一种高岭土-2-吡嗪羧酸插层化合物及其制备方法在审
| 申请号： | 201610329446.8 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN106006657A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 赵顺平;冯小亮;朱苗苗;郭玉;高迎春;汪婕;徐衡 | 申请（专利权）人： | 安庆师范大学 |
| 主分类号： | C01B33/44 | 分类号： | C01B33/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 246011 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及高岭土‑2‑吡嗪羧酸插层化合物及其制备方法：1)高岭土原土经过超声清洗0.5小时得到水洗高岭土；2)水洗高岭土与二甲亚砜室温搅拌12小时制备前驱体；3)前驱体与2‑吡嗪羧酸(质量比为1∶1)置于不锈钢反应釜中增压插层，在90～160℃反应5‑10小时；4)经碱液洗涤、离心、干燥后得到目标产品，化学式为Al2Si2O5(OH)4·(2‑PA)1.11，所述的2‑PA为2‑吡嗪羧酸。该化合物具有二维层状结构，层间2‑吡嗪羧酸分子具有N、O活性配位点，可作为潜在的光、电、介电材料应用。本发明工艺简单，制备方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高岭土 羧酸 化合物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高岭土‑2‑吡嗪羧酸插层化合物，其特征在于：所述的化合物化学式为Al2Si2O5(OH)4·(2‑PA)1.11，其中2‑PA为2‑吡嗪羧酸。
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