[发明专利]基于3D打印铁磁层增强LED发光效率的方法有效
申请号: | 201610324296.1 | 申请日: | 2016-05-17 |
公开(公告)号: | CN105977348B | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 卢太平;朱亚丹;赵广洲;许并社 | 申请(专利权)人: | 太原理工大学 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/14;B22F3/115 |
代理公司: | 太原科卫专利事务所(普通合伙)14100 | 代理人: | 张彩琴 |
地址: | 030025 *** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明属于光电子器件领域,具体是基于3D打印铁磁层增强LED发光效率的方法,其采用MOCVD或MBE生长的具有成核层、非故意掺杂层、n型层、多周期的量子阱有源层及p型层的外延片,并刻蚀出n型层台面,3D打印欧姆接触反光镜、n型电极、p型电极、铁磁材料层及铁磁材料保护层。本发明采用3D打印铁磁层来增强LED的发光效率,铁磁材料层产生的磁场作用于多量子阱有源区,能够将载流子局域在富In的区域,提高载流子的辐射复合率,从而提高发光效率。而且3D打印生产工艺简单,能够有效的提高生产效率。 | ||
搜索关键词: | 基于 打印 铁磁层 增强 led 发光 效率 方法 | ||
【主权项】:
基于3D打印铁磁层增强LED发光效率的方法,其特征在于,步骤一:采用MOCVD或MBE生长具有低温成核层、非故意掺杂层、n‑GaN层、多周期的InGaN/GaN有源层及p‑GaN层的外延片;步骤二:于外延片上刻蚀出n型层台面,刻蚀深度达到n‑GaN层;步骤三:根据结构设计编写各3D打印头的运动路径程序,将清洁好的外延片作为基片放入3D打印机中,利用单个或阵列式3D反光镜材料打印头在p‑GaN层上打印欧姆接触反光镜;利用单个或阵列式3D n型电极材料打印头在n型层台面上打印n型电极;利用单个或阵列式3D p型电极材料打印头在欧姆接触反光镜上打印p型电极,且p型电极占据欧姆接触反光镜的三分之一;利用单个或阵列式3D铁磁材料打印头在除p型电极外的其他欧姆接触反光镜上打印铁磁材料层;利用单个或阵列式3D铁磁保护材料打印头在铁磁材料层上打印铁磁材料保护层;步骤四:将打印好铁磁材料保护层的基片置于外磁场中进行磁化,磁化强度为0.5T‑1.5T,温度为100‑300℃,时间为30‑120min。
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