[发明专利]多频电容耦合等离子体刻蚀腔

摘要

与气体联用的等离子体处理系统。该等离子体处理系统包括第一电极、第二电极、气体输入口、功率源和无源电路。所述气体输入口可操作地在所述第一电极和所述第二电极之间提供所述气体。所述功率源可操作地将在所述第一电极和所述第二电极之间的所述气体激发成等离子体。所述无源电路耦合于所述第二电极并被配置为调节所述第二电极的阻抗、电势和直流偏压中的一个或多个。所述无源射频电路包括与电感器并联设置的电容器。

主权项

用于等离子处理半导体衬底的等离子体处理系统，所述等离子体处理系统包括：下电极，在等离子处理期间在其上支撑有半导体衬底；围绕所述下电极的下接地延伸环；上电极；围绕所述上电极的上接地延伸环；气体输入口，其可操作地在所述下电极和所述上电极之间提供所述气体；连接于所述下电极的射频功率源，其可操作地将在所述下电极和所述上电极之间的所述气体激发成等离子体；和无源射频电路，其被耦合到所述上电极并包括与电感器并联设置的可变电容器，其中所述无源射频电路被配置为：通过改变所述可变电容器的电容来调节所述上电极的阻抗、电势和直流偏压中的一个或多个来优先提高所述半导体衬底中心的衬底蚀刻率，以及通过改变所述可变电容器的电容，控制第一射频电路，连接所述下电极和所述下接地延伸环；控制第二射频电路，连接所述上电极和所述上接地延伸环。