[发明专利]使鳍具有不同鳍高度并且没有构形的方法和结构有效
| 申请号： | 201610320181.5 | 申请日： | 2016-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN106158971B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 程康国;J·P·德索萨;A·哈吉菲鲁基;A·雷茨尼切克;D·J·斯切皮斯 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及一种使鳍具有不同鳍高度并且没有构形的方法和结构，其提供一种半导体结构，其含有具有不同高度的硅鳍，同时保持针对处理合理性的合理的鳍高度对宽度比例。该半导体结构包含第一高度且位于第一埋入氧化结构上的第一硅鳍。该结构还包含第二高度且位于第二埋入氧化结构上的第二硅鳍，该第二埋入氧化结构与该第一埋入氧化结构隔开。该第二硅鳍的第二高度大于该第一硅鳍的第一高度，但该第一硅鳍的最顶表面与该第二硅鳍的最顶表面共平面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不同 高度 并且 没有 构形 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，该方法包括：提供块体半导体基板，其从底至顶为具有p型导电性和第一掺质浓度的硅基层、以及具有小于该第一掺质浓度的第二掺质浓度的硼掺杂硅层；在该硼掺杂硅层内形成牺牲沟槽隔离结构以定义第一硼掺杂硅部及第二硼掺杂硅部；在该第一硼掺杂硅部中及位于该第一硼掺杂硅部的留存的最顶部下方形成第一深度的第一多孔硅区域，且在该第二硼掺杂硅部中及位于该第二硼掺杂硅部的留存的最顶部下方形成第二深度的第二多孔硅区域，其中，该第二深度大于该第一深度；转化该第一多孔硅区域成该第一深度的第一埋入氧化结构且转化该第二多孔硅区域成该第二深度的第二埋入氧化结构；以及图案化该第一硼掺杂硅部的该留存的最顶部以在该第一埋入氧化结构上设置第一高度的第一硅鳍，且图案化该第二硼掺杂硅部的该留存的最顶部以在该第二埋入氧化结构上设置第二高度的第二硅鳍，其中，该第二高度大于该第一高度，但各第一硅鳍及各第二硅鳍的该最顶表面是彼此共平面。
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