[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610312181.0 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107364827B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 王强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有第一半导体材料层、牺牲层和图案化的第二半导体材料层，其中，所述第二半导体材料层包括主芯片区域和接触区域；在所述第二半导体材料层的侧壁上形成间隙壁；图案化所述牺牲层，以在所述牺牲层中形成隔离沟槽，同时去除所述接触区域中所述第二半导体材料层侧壁上的所述间隙壁；在所述牺牲层和所述第二半导体材料层上形成覆盖层，以覆盖所述接触区域中的侧壁，同时填充所述隔离沟槽；湿法蚀刻去除所述牺牲层和剩余的所述间隙壁，以在所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层之间形成空腔。所述方法解决了接触区域断裂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有第一半导体材料层、牺牲层和图案化的第二半导体材料层，其中，所述第二半导体材料层包括主芯片区域和位于所述主芯片区域一侧的接触区域；/n在所述第二半导体材料层的侧壁上形成间隙壁；/n图案化所述牺牲层，以在所述牺牲层中形成隔离沟槽，同时去除所述接触区域中所述第二半导体材料层侧壁上的所述间隙壁，以露出所述接触区域中所述第二半导体材料层的侧壁；/n在所述牺牲层和所述第二半导体材料层上形成覆盖层，以覆盖所述接触区域中露出的所述第二半导体材料层的侧壁，同时填充所述隔离沟槽；以及/n湿法蚀刻去除所述牺牲层和剩余的所述间隙壁，以在所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层之间形成空腔。/n
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