[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有第一半导体材料层、牺牲层和图案化的第二半导体材料层，其中，所述第二半导体材料层包括主芯片区域和位于所述主芯片区域一侧的接触区域；

在所述第二半导体材料层的侧壁上形成间隙壁；

图案化所述牺牲层，以在所述牺牲层中形成隔离沟槽，同时去除所述接触区域中所述第二半导体材料层侧壁上的所述间隙壁，以露出所述接触区域中所述第二半导体材料层的侧壁；

在所述牺牲层和所述第二半导体材料层上形成覆盖层，以覆盖所述接触区域中露出的所述第二半导体材料层的侧壁，同时填充所述隔离沟槽；以及

湿法蚀刻去除所述牺牲层和剩余的所述间隙壁，以在所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层之间形成空腔。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，图案化所述牺牲层步骤中所使用的光罩具有所述隔离沟槽的图案以及所述接触区域中所述间隙壁的图案，以在形成所述隔离沟槽的同时去除所述接触区域中的所述间隙壁。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述接触区域呈长条结构。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二半导体材料层的图案化方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有第一半导体材料层和牺牲层；

在所述牺牲层上形成所述第二半导体材料层；

图案化所述第二半导体材料层，以形成所述主芯片区域和所述接触区域，同时在所述主芯片区域中形成若干第一开口。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述牺牲层和所述第二半导体材料层上形成所述覆盖层之后还进一步包括图案化所述覆盖层的步骤，以在所述覆盖层中形成第二开口，露出所述第一开口。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述湿法蚀刻包括缓冲蚀刻工艺。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体器件包括MEMS麦克风，所述第一半导体材料层为振膜层，所述第二半导体材料层为背板层。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述第二半导体材料层的侧壁上形成间隙壁的方法包括：

沉积间隙壁材料层，以覆盖所述第二半导体材料层；

对所述间隙壁材料层进行全面蚀刻，以在第二半导体材料层的侧壁上形成间隙壁。