[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610312168.5 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107364826B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 王贤超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B1/00;H04R19/04 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成有第一半导体材料层、图案化的牺牲层和图案化的第二半导体材料层，其中，所述第二半导体材料层包括主芯片区域和位于所述主芯片区域一侧的条状区域，其中在所述条状区域中靠近所述主芯片区域的一端的两侧形成有条状的蚀刻液阻挡层；在所述第二半导体材料层的侧壁上形成间隙壁；在所述第二半导体材料层和所述间隙壁形成覆盖层，以覆盖所述第二半导体材料层和所述间隙壁；通过湿法蚀刻去除所述间隙壁和所述主芯片区域下方的所述牺牲层，以在所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层之间形成空腔。所述方法可以解决条状区域悬空的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有第一半导体材料层、图案化的牺牲层和图案化的第二半导体材料层，其中，所述第二半导体材料层包括主芯片区域和位于所述主芯片区域一侧的条状区域，其中在所述条状区域中靠近所述主芯片区域的一端的两侧形成有条状的蚀刻液阻挡层；在所述第二半导体材料层的侧壁上形成间隙壁；在所述第二半导体材料层和所述间隙壁形成覆盖层，以覆盖所述第二半导体材料层和所述间隙壁；以及通过湿法蚀刻去除所述间隙壁和所述主芯片区域下方的所述牺牲层，以在所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层之间形成空腔。
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