[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610312168.5 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107364826B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 王贤超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B1/00;H04R19/04 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有第一半导体材料层、图案化的牺牲层和图案化的第二半导体材料层，其中，所述第二半导体材料层包括主芯片区域和位于所述主芯片区域一侧的条状区域，其中在所述条状区域中靠近所述主芯片区域的一端的两侧形成有条状的蚀刻液阻挡层；
在所述第二半导体材料层的侧壁上形成间隙壁；
在所述第二半导体材料层和所述间隙壁形成覆盖层，以覆盖所述第二半导体材料层和所述间隙壁；以及
通过湿法蚀刻去除所述间隙壁和所述主芯片区域下方的所述牺牲层，以在所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层之间形成空腔。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述蚀刻液阻挡层的延伸方向与所述条状区域的延伸方向垂直。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述蚀刻液阻挡层呈矩形。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述蚀刻液阻挡层与所述主芯片区域之间具有间隔。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述条状区域中与所述主芯片区域相对的一端为接触区域。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述湿法蚀刻的蚀刻液包括缓冲蚀刻液。
7.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
半导体衬底；
第一半导体材料层，位于所述半导体衬底上；
第二半导体材料层，位于所述第一半导体材料层的上方；
空腔，位于所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层之间；
覆盖层，位于所述第二半导体材料层上方并封闭所述空腔；
其中，所述第二半导体材料层包括主芯片区域和位于所述主芯片区域一侧的条状区域，其中在所述条状区域中靠近所述主芯片区域的一端的两侧形成有条状的蚀刻液阻挡层。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述蚀刻液阻挡层的延伸方向与所述条状区域的延伸方向垂直。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述蚀刻液阻挡层与所述主芯片区域之间具有间隔。
10.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述条状区域中与所述主芯片区域相对的一端为接触区域。
11.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求7至10之一所述的半导体器件。
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