[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置

说明书

本发明提供了一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成有第一半导体材料层、图案化的牺牲层和图案化的第二半导体材料层，其中，所述第二半导体材料层包括主芯片区域和位于所述主芯片区域一侧的条状区域，其中在所述条状区域中靠近所述主芯片区域的一端的两侧形成有条状的蚀刻液阻挡层；在所述第二半导体材料层的侧壁上形成间隙壁；在所述第二半导体材料层和所述间隙壁形成覆盖层，以覆盖所述第二半导体材料层和所述间隙壁；通过湿法蚀刻去除所述间隙壁和所述主芯片区域下方的所述牺牲层，以在所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层之间形成空腔。所述方法可以解决条状区域悬空的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及制备方法、电子装置。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，在传感器(motion sensor)类产品的市场上，智能手机、集成CMOS和微机电系统(MEMS)器件日益成为最主流、最先进的技术，并且随着技术的更新，这类传动传感器产品的发展方向是规模更小的尺寸，高质量的电学性能和更低的损耗。

其中，MEMS传感器广泛应用于汽车电子：如TPMS、发动机机油压力传感器、汽车刹车系统空气压力传感器、汽车发动机进气歧管压力传感器(TMAP)、柴油机共轨压力传感器；消费电子：如胎压计、血压计、橱用秤、健康秤，洗衣机、洗碗机、电冰箱、微波炉、烤箱、吸尘器用压力传感器，空调压力传感器，洗衣机、饮水机、洗碗机、太阳能热水器用液位控制压力传感器；工业电子：如数字压力表、数字流量表、工业配料称重等，电子音像领域：麦克风等设备。

在MEMS领域中,有一部分产品，为了实现MEMS器件功能，需要在MEMS器件中形成空腔，但是在形成空腔过程中由于牺牲层上方的材料层可能形状比较特殊，例如具有长条形状，就会使得该部分下方的材料层造成过蚀刻，从而使器件失效。

因此，有必要提出一种新的MEMS器件的制备方法，以解决现有的技术问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明一方面提供了一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有第一半导体材料层、图案化的牺牲层和图案化的第二半导体材料层，其中，所述第二半导体材料层包括主芯片区域和位于所述主芯片区域一侧的条状区域，其中在所述条状区域中靠近所述主芯片区域的一端的两侧形成有条状的蚀刻液阻挡层；

在所述第二半导体材料层的侧壁上形成间隙壁；

在所述第二半导体材料层和所述间隙壁形成覆盖层，以覆盖所述第二半导体材料层和所述间隙壁；

通过湿法蚀刻去除所述间隙壁和所述主芯片区域下方的所述牺牲层，以在所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层之间形成空腔。

可选地，所述蚀刻液阻挡层的延伸方向与所述条状区域的延伸方向垂直。

可选地，所述蚀刻液阻挡层呈矩形。

可选地，所述蚀刻液阻挡层与所述主芯片区域之间具有间隔。

可选地，所述条状区域中与所述主芯片区域相对的一端为接触区域。

可选地，所述湿法蚀刻的蚀刻液包括缓冲蚀刻液。

本发明还提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：

半导体衬底；

第一半导体材料层，位于所述半导体衬底上；