[发明专利]改善栅极侧墙形貌的方法及半导体器件制造方法

摘要

本发明提供一种改善栅极侧墙形貌的方法以及半导体器件制造方法，在形成的侧墙层表面上覆盖一层保护层，该保护层包裹住侧墙层，这样使半导体衬底表面趋于平坦；然后，采用侧墙层和保护层具有高刻蚀选择比的穿通刻蚀工艺垂直刻蚀保护层，以去除保护层位于栅极结构顶部等平面上的部分，而保留位于所述栅极结构的侧壁及斜肩上的部分；之后在部分刻蚀侧墙层形成侧墙的过程中，斜肩上的保护层可以对其下的侧墙层进行保护，降低斜肩处侧墙材料的刻蚀损耗，从而可以最终获得宽度均匀性的侧墙，该侧墙可以增大后续在源/漏区上形成的接触孔与栅极结构之间的有效距离，改善源/漏区离子注入的效果，从而改善器件的阈值电压和漏电流问题，提高器件性能。

主权项

1.一种改善栅极侧墙形貌的方法，其特征在于，包括：在一半导体衬底表面上形成栅极结构；在所述半导体衬底和栅极结构表面上依次形成用于制作侧墙的侧墙层以及用于保护侧墙的保护层，所述保护层的厚度小于所述侧墙层；以所述侧墙层为刻蚀停止层，刻蚀打通所述保护层，以保留所述栅极结构的侧壁及斜肩上的保护层；刻蚀打通所述保护层的过程中，所述侧墙层与所述保护层的刻蚀选择比大于5；采用侧墙层相对保护层具有高刻蚀选择比的部分刻蚀工艺，部分刻蚀所述侧墙层，以在所述栅极结构侧壁形成宽度均匀的侧墙。