[发明专利]具有二维导电材料阵列嵌入式透明电极薄膜的太阳电池有效
申请号: | 201610300543.4 | 申请日: | 2016-05-09 |
公开(公告)号: | CN107359211B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 陈小源;邓昌凯;鲁林峰;李东栋;方小红;王亮兴;刘东方;杨立友 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海高等研究院;晋能清洁能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/075 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: |
本发明提出一种具有二维导电材料阵列嵌入式透明电极薄膜的晶硅异质结太阳电池。所述二维导电材料阵列嵌入式透明电极薄膜由置于 |
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搜索关键词: | 具有 二维 导电 材料 阵列 嵌入式 透明 电极 薄膜 太阳电池 | ||
【主权项】:
一种具有二维导电材料阵列嵌入式透明电极薄膜的异质结晶硅太阳电池,其特征在于:所述异质结晶硅太阳电池的第一表面的透明电极是一种二维导电材料阵列嵌入式透明电极薄膜,第二面表面的透明电极可以是二维导电材料阵列嵌入式透明电极薄膜,也可以是传统的氧化物透明电极薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的