[发明专利]具有二维导电材料阵列嵌入式透明电极薄膜的太阳电池有效

专利信息
申请号: 201610300543.4 申请日: 2016-05-09
公开(公告)号: CN107359211B 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 陈小源;邓昌凯;鲁林峰;李东栋;方小红;王亮兴;刘东方;杨立友 申请(专利权)人: 中国科学院上海高等研究院;晋能清洁能源科技有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/075
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 罗泳文
地址: 201210 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提出一种具有二维导电材料阵列嵌入式透明电极薄膜的晶硅异质结太阳电池。所述二维导电材料阵列嵌入式透明电极薄膜由置于p型及/或n型掺杂硅基薄膜上的第一层图案化二维导电材料阵列和覆盖于图案化二维导电材料阵列上的第二层透明的保护薄膜构成。该透明电极光透过率接近传统铟基氧化物透明导电薄膜,电阻率低于传统铟基氧化物透明导电薄膜。该透明电极薄膜可以与Smart Wire互连技术很好的匹配,减少贵金属Ag的用量,可以有效降低晶硅异质结太阳电池的成本。
搜索关键词: 具有 二维 导电 材料 阵列 嵌入式 透明 电极 薄膜 太阳电池
【主权项】:
一种具有二维导电材料阵列嵌入式透明电极薄膜的异质结晶硅太阳电池,其特征在于:所述异质结晶硅太阳电池的第一表面的透明电极是一种二维导电材料阵列嵌入式透明电极薄膜,第二面表面的透明电极可以是二维导电材料阵列嵌入式透明电极薄膜,也可以是传统的氧化物透明电极薄膜。
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