[发明专利]一种银掺杂改性二氧化钌厚膜电阻浆料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610299042.9 申请日: 2016-05-06
公开(公告)号: CN105741903B 公开(公告)日: 2017-04-05
发明(设计)人: 孙鹏;李智敏;张茂林;闫养希;黄云霞;郝跃 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01B1/20 分类号: H01B1/20;H01B1/22;H01C7/00
代理公司: 西安弘理专利事务所61214 代理人: 罗笛
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开的银掺杂改性二氧化钌厚膜电阻浆料的制备方法,具体按照以下步骤实施步骤1、利用RuO2粉、CuO粉和Ag粉制备出导电相;步骤2、利用SiO2、Al2O3、CaO、BaO、B2O3、PbO以及Bi2O3制备出改性铝硅玻璃相;步骤3、利用松油醇、纤维素、丁基卡必醇以及蓖麻油制备有机相;步骤4、将步骤1得到的导电相、步骤2得到的改性铝硅玻璃相以及步骤3得到的有机相混合均匀,即得到银掺杂改性二氧化钌厚膜电阻浆料。本发明银掺杂改性二氧化钌厚膜电阻浆料的制备方法,解决现有厚膜电阻浆料低电阻和高TCR之间存在矛盾的问题,该方法对生产工艺和设备无特殊要求,便于推广和工业化生产。
搜索关键词: 一种 掺杂 改性 氧化 钌厚膜 电阻 浆料 制备 方法
【主权项】:
银掺杂改性二氧化钌厚膜电阻浆料的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:步骤1、分别称取RuO2粉、CuO粉和Ag粉,并利用称取的RuO2粉、CuO粉和Ag粉制备出导电相,具体按照以下步骤实施:步骤1.1、按照质量比4~8:2~4:0.5~2分别称取RuO2粉、CuO粉和Ag粉;步骤1.2、将经步骤1.1称取的RuO2粉、CuO粉和Ag粉混合在一起,形成混合物料;步骤1.3、将经步骤1.2得到的混合物料添加到球磨装置中,并向球磨装置中加入去离子水和磨球,开启球磨装置,对混合物料进行球磨处理,得到球磨物料;步骤1.4、经步骤1.3后,取出球磨装置中的球磨物料,将球磨物料于50℃~70℃条件下烘干,得到干燥的球磨物料;步骤1.5、将经步骤1.4得到的干燥的球磨物料通过研磨方式粉碎,之后装入坩埚内,将坩埚升温至800℃~1000℃并保温5h~8h,待坩埚自然冷却至室温后,在坩埚内得到导电相;步骤2、分别称取SiO2、Al2O3、CaO、BaO、B2O3、PbO以及Bi2O3,并利用称取的SiO2、Al2O3、CaO、BaO、B2O3、PbO以及Bi2O3制备出改性铝硅玻璃相,具体按照以下步骤实施:步骤2.1、按照质量百分比分别称取如下原料:SiO2 38%~45%,Al2O3 6%~10%,CaO7%~10%,BaO14%~20%,B2O3 0~5%,PbO15%~20%,Bi2O3 8%~12%;以上组分的含量总和为100%;步骤2.2、将步骤2.1中称取的SiO2、Al2O3、CaO、BaO、B2O3、PbO以及Bi2O3混合在一起,形成混合物A;步骤2.3、将经步骤2.2得到的混合物A添加到球磨装置中,并向球磨装置中加入去离子水和磨球,开启球磨装置,对混合物A进行球磨处理,得到混合物B;步骤2.4、经步骤2.3后,取出混合物B,将混合物B于50℃~70℃条件下烘干,得到混合物C;步骤2.5、将经步骤2.4得到的混合物C研磨粉碎后装入坩埚中,将坩埚升温至1100℃~1500℃并保温30min~60min,淬火后再球磨处理,得到改性铝硅玻璃相;步骤3、利用松油醇、纤维素、丁基卡必醇以及蓖麻油制备出有机相,具体按照以下步骤实施:步骤3.1、称取3g~6g纤维素,并将称取的纤维素于85℃~95℃水浴环境下溶于40ml~80ml松油醇中,待纤维素完全溶解后再加入10ml~30ml丁基卡必醇以及15ml~25ml蓖麻油混合,形成混合物质;步骤3.2、将经步骤3.1得到的混合物质放入离心机中进行离心处理,得到有机相,离心处理是采用5000rpm~10000rpm的转速,离心处理5min~10min;步骤4、将步骤1得到的导电相、步骤2得到的改性铝硅玻璃相及步骤3得到的有机相混合均匀,得到银掺杂改性二氧化钌厚膜电阻浆料。
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