[发明专利]存储器系统以及其错误校正方法

摘要

本发明提供一种存储器系统及其错误校正方法，存储器系统包括电阻式非易失性存储器阵列及存储器控制器。电阻式非易失性存储器阵列储存数据及多个预测位。存储器控制器配置为：检测预测位错误的数量；当预测位错误的数量等于或大于预测位错误临界数量时，对储存在电阻式非易失性存储器阵列中的数据以及预测位执行强刷新；以及当预测位错误的数量小于预测位错误的临界数量时，通过只刷新具有数据位错误的数据的存储单元以及具有预测位错误的预测位，来执行数据与该些预测位的弱刷新。本发明的存储器系统能在高温存储器操作下以及对于电阻式非易失性存储器的数据保存上提供改善方式，藉此在包括上述存储器的系统以及/或集成电路中实现效能改善。

主权项

1.一种存储器系统，其特征在于，所述存储器系统包括：一电阻式非易失性存储器阵列，包括多个记忆胞以储存多个数据位以及多个预测位，所述多个预测位指示所述电阻式非易失性存储器阵列中的所述多个数据位的品质，所述多个预测位的总数小于所述多个数据位的总数，多个记忆胞还储存多个错误校正编码ECC位；以及一存储器控制器，配置来：自所述电阻式非易失性存储器阵列读取储存的所述多个数据位以及对应的多个ECC位，且使用对应的所述多个ECC位来检测与校正在储存的所述多个数据位的多个存储单元的多个数据位错误；自所述电阻式非易失性存储器阵列读取储存的所述多个预测位以及对应的多个ECC位，且使用对应的所述多个ECC位来检测与校正在储存的所述多个预测位中的多个预测位错误以及检测所述多个预测位错误的一数量；比较所述多个预测位错误的所述数量与所述多个预测位错误的一临界数量；当所述多个预测位错误的所述数量等于或大于所述多个预测位错误的所述临界数量时，对储存在所述电阻式非易失性存储器阵列中的所述多个数据位以及所述多个预测位执行一强刷新；以及当所述多个预测位错误的所述数量小于所述多个预测位错误的所述临界数量时，通过只刷新具有所述多个数据位错误的所述多个数据位的所述多个存储单元以及具有所述多个预测位错误的所述多个预测位，来执行所述多个数据位与所述多个预测位的一弱刷新。