[发明专利]显示装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610294146.0 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN105893985B | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 刘英明;董学;陈小川;王海生;丁小梁;杨盛际;赵卫杰;李昌峰;刘伟;王鹏鹏 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G06K9/00 | 分类号： | G06K9/00;G09F9/00;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 牛南辉,李峥 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括显示层以及在所述显示层下的基础层，所述基础层包括衬底，所述衬底具有第一导电类型；位于所述衬底的朝向所述显示层的一侧的部分中的阱区域，所述阱区域具有第二导电类型；形成在所述阱区域内的超声波接收器，其中，所述超声波接收器包括朝向所述衬底的第一底电极，所述第一底电极包括被形成在所述阱区域中的第一半导体区域，具有第一导电类型；朝向所述显示层的第一顶电极；形成在所述第一底电极和所述第一顶电极之间的第一压电层。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种显示装置，包括显示层以及在所述显示层下的基础层，其特征在于，所述基础层包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型；位于所述衬底的朝向所述显示层的一侧的部分中的阱区域，所述阱区域具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；形成在所述阱区域内的超声波接收器，其中，所述超声波接收器包括：朝向所述衬底的第一底电极，所述第一底电极包括被形成在所述阱区域中的第一半导体区域，所述第一半导体区域具有第一导电类型；朝向所述显示层的第一顶电极；形成在所述第一底电极和所述第一顶电极之间的第一压电层；在所述基础层的远离所述显示层的一侧的超声波发射器，其中，所述衬底被用作所述超声波发射器的第二顶电极，所述超声波发射器包括：设置在所述衬底下的第二压电层；设置在所述第二压电层下的第二底电极。
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