[发明专利]硅基半导体晶体管的激光模拟辐射剂量率效应试验方法

摘要

本发明涉及一种硅基半导体晶体管的激光模拟辐射剂量率效应试验方法，该方法的步骤为：1）选取同批次同型号的硅基半导体晶体管至少三个，进行开封预处理，作为待测半导体晶体管；2）测试待测半导体晶体管功能正常；3）焊接测试电路板，将待测半导体晶体管接入测试电路；4）将激光光束照射到待测晶体管芯片上；5）调节激光光束能量，测试待测晶体管的响应并由示波器记录；本发明提供了一种可在实验室条件下用于半导体晶体管辐射剂量率效应的激光模拟试验方法，有效缩短了抗辐射加固设计周期，降低了试验成本，为研究硅基半导体器件的辐射剂量率效应提供了一种有力手段，其试验装置和试验方法的推广具有重要价值。

主权项

1.一种硅基半导体晶体管的激光模拟辐射剂量率效应试验方法，其方法步骤如下：1）选取同批次同型号的硅基半导体晶体管至少三个，进行开封预处理，作为待测半导体晶体管的样品；所述开封预处理包括正面开封和背面开封；对于金属层不多于两层的硅基半导体晶体管，进行正面开封；对于金属层大于两层的硅基半导体晶体管，进行背面开封；2）测试待测半导体晶体管的功能是否正常；同时，焊接测试电路板；3）将经过测试功能正常的待测半导体晶体管接入测试电路板；4）将激光光束照射到待测半导体晶体管上；5）调节激光光束能量，用电流探头测试待测半导体晶体管的脉冲电流响应，用电压探头测试脉冲电压响应，并通过示波器记录脉冲电流和脉冲电压的波形。