[发明专利]三维半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610282016.5 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN106684089B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 李映勋 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11578 | 分类号： | H01L27/11578;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种3‑D半导体器件及其制造方法。该3‑D半导体器件包括：衬底，沿着由第一方向x和第二方向y限定的第一平面延伸，衬底具有形成在其中的管道晶体管；多个字线，沿着垂直于第一方向x和第二方向y的第三方向z以规则的间距间隔开；第一垂直插塞，通过垂直地穿过字线而连接至管道晶体管的第一端；第二垂直插塞，通过垂直地穿过字线而连接至管道晶体管的第二端；位线，连接至第一垂直插塞的顶表面；以及源极线，连接至第二垂直插塞的顶表面，其中，第一垂直插塞和第二垂直插塞具有不同的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种三维半导体器件，包括：衬底，沿着由第一方向x和第二方向y限定的第一平面延伸，衬底具有形成在其中的管道晶体管；多个字线，沿着第三方向z以规则的间距间隔开，第三方向z垂直于第一方向x和第二方向y；第一垂直插塞，通过垂直地穿过字线而连接至管道晶体管的第一端；第二垂直插塞，通过垂直地穿过字线而连接至管道晶体管的第二端；位线，连接至第一垂直插塞的顶表面；以及源极线，连接至第二垂直插塞的顶表面，其中，第一垂直插塞和第二垂直插塞具有不同的尺寸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610282016.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
