[发明专利]一种用于阻变存储器交叉阵列的选通器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种用于阻变存储器交叉阵列的选通器件及其制备方法。该器件自下而上包括底层惰性电极、氧化物基固态电介质、顶层活性电极。本发明通过选取基于金属导电细丝机制的阻变器件，通过调整氧化物基固态电介质的密度、结构及活性金属在电介质中的扩散能力，使得器件在正向电压下形成导电细丝通道，器件变为低阻态，而释放电压后，导电细丝自发熔解，器件恢复到高阻态，在随后的负电压扫描过程中，器件保持高阻态。该器件呈现出类似二极管的整流行为，可用于阻变存储器交叉阵列的选通器件。本发明所述的选通器件，其制备工艺与阻变器件兼容性好，结构简单，整流比大，功耗低，能够有效抑制阻变存储器交叉阵列结构中的串扰现象。

主权项

一种用于阻变存储器交叉阵列的选通器件，其特征在于自下而上依次包括底层惰性电极、设于底层惰性电极上的氧化物基固态电介质、设于固态电介质上的顶层活性电极。