[发明专利]具有屏蔽栅的沟槽栅功率器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种具有屏蔽栅的沟槽栅功率器件的制造方法，包括如下步骤：步骤一、提供一硅衬底并在硅衬底中形成沟槽；步骤二、在沟槽的底部形成第一氧化硅层和屏蔽栅；步骤三、形成第二氧化硅层；步骤四、沉积BPSG膜并进行回流平坦化，由BPSG膜和第二氧化硅层一起将沟槽顶部完全填充；步骤五、进行氧化硅回刻形成由回刻后的BPSG膜和第二氧化硅层组成多晶硅间隔离介质层；步骤六、在沟槽顶部形成栅介质层和多晶硅栅。本发明能缩小器件的单元结构尺寸并能得到薄栅介质层，从而能降低器件的导通压降，实现低压应用。

主权项

一种具有屏蔽栅的沟槽栅功率器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一硅衬底，进行光刻刻蚀在所述硅衬底中形成沟槽；步骤二、在所述沟槽的底部形成由第一多晶硅层组成的屏蔽栅，所述屏蔽栅和所述沟槽侧面和底部表面之间隔离有第一氧化硅层，所述第一氧化硅层的表面低于或等于所述屏蔽栅的表面；步骤三、采用热氧化工艺形成第二氧化硅层，所述第二氧化硅层形成在所述屏蔽栅顶部表面和所述第一氧化硅层顶部的所述沟槽侧面以及所述沟槽外的所述硅衬底表面；步骤四、沉积BPSG膜并对所述BPSG膜进行回流平坦化，平坦化后的所述BPSG膜和所述第二氧化硅层一起将所述沟槽顶部完全填充；结合所述BPSG膜和所述第二氧化硅层一起填充所述沟槽来提高所述沟槽的填充能力并用于缩小所述沟槽的尺寸；步骤五、对所述BPSG膜和所述第二氧化硅层进行氧化硅回刻并由所述氧化硅回刻后的所述BPSG膜和所述第二氧化硅层组成多晶硅间隔离介质层，所述多晶硅硅间隔离介质层位于所述屏蔽栅顶部且所述多晶硅间隔离介质层的厚度通过所述氧化硅回刻工艺控制；步骤六、在形成有所述多晶硅间隔离介质层的所述沟槽顶部形成栅介质层和多晶硅栅，所述栅介质层形成于所述沟槽顶部的侧面，所述多晶硅栅将所述沟槽顶部完全填充。