[发明专利]场效应晶体管的制备方法及利用其制备的场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种利用电流体直写工艺制备场效应晶体管的方法，包括：(1)在基板上制备有机半导体薄膜；(2)利用电流体直写工艺，在具有半导体薄膜的基板上制备平行的直线纤维；(3)通过电流体直写制备与之垂直的平行介电纤维；(4)在基板上真空沉积金属；(5)在介电纤维两端涂覆导电银浆，引出栅电极。本发明还公开了相应的产品。本发明的方法利用介电微纳纤维得到晶体管沟道，沟道长度尺寸与纤维直径尺寸相当，能够达到亚微米甚至纳米级，同时该纤维也是晶体管的绝缘层。另外通过一次金属真空沉积，可同时形成场效应晶体管的源极、漏极和栅极。本发明极大地简化了晶体管的制备工艺步骤，同时降低了制造成本。

主权项

1.一种场效应晶体管的制备方法，其包括：在基板上制备有机半导体薄膜，以此在所述基板上形成半导体层，其中，所述基板为刚性基板或柔性基板；采用电流体直写工艺，在基板上喷印，得到平行排列的多条介电直线纤维；对具有介电性质的聚合物溶液进行电流体喷印，得到多条平行排列、位于所述介电直线纤维之上并与所述介电直线纤维垂直的介电微纳纤维，从而在所述半导体层上形成网格状的纤维层，其中，所述介电微纳纤维与半导体层的接触角大于90°；在所述形成网格状的纤维层的半导体层上进行金属真空沉积，使得所述纤维层和所述半导体层上均形成金属薄膜，其中，所述金属薄膜的厚度小于所述纤维层的高度，以此使得所述纤维层和半导体层上的金属薄膜分离，在所述纤维层上的金属薄膜作为顶栅电极，在该顶栅电极两侧的半导体层上的金属薄膜分别作为源电极和漏电极；以及在所述介电微纳纤维两端涂覆导电介质，引出所述顶栅电极，进而即可得到场效应管。