[发明专利]一种局部背场N型太阳能电池的制备方法

摘要

本发明涉及一种局部背场N型太阳能电池的制备方法。本发明的一种局部背场N型太阳能电池的制备方法，包括以下步骤对N型晶体硅基体进行掺杂及生长阻挡层处理后在其背表面印刷耐酸浆料形成副栅状图案的掩膜；然后浸入酸性溶液中去除未被掩膜覆盖区域的阻挡层；浸入碱性溶液中去除掩膜，并同时刻蚀其他区域而保留掩膜下方n+重掺杂区域；再次浸入酸性溶液中去除残余的阻挡层；最后制备电极，完成背场N型太阳能电池的制备。其有益效果是由于背面副栅仅和局部n+重掺杂区域接触，所以接触电阻低；同时，不和背面副栅接触的区域为非掺杂区域，所以俄歇复合低。所制电池具有较高的光电转换效率。

主权项

一种局部背场N型太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)、对N型晶体硅基体进行掺杂处理，然后在N型晶体硅基体的正表面和背表面制备阻挡层，背面阻挡层的厚度小于正面阻挡层的厚度；(2)、在步骤(1)处理后的N型晶体硅基体的背表面印刷耐酸浆料并烘干形成副栅状图案的掩膜；(3)、将步骤(2)处理后的N型晶体硅基体浸入酸性溶液中去除未被掩膜覆盖区域的阻挡层，正面的阻挡层要求不被酸性溶液去除，但厚度会相应减薄；(4)、将步骤(3)处理后的N型晶体硅基体浸入碱性溶液中去除掩膜，碱性溶液同时去除未被掩膜覆盖的n+重掺杂区域，被掩膜覆盖的区域为局部n+重掺杂区域；(5)、再次将N型晶体硅基体浸入酸性溶液中去除正表面和背表面残余的阻挡层；(6)、在步骤(5)处理后的N型晶体硅基体的正表面制备钝化减反膜并在背表面制备钝化膜，然后在N型晶体硅基体的正表面和背表面使用金属浆料印刷正面电极和背面电极，背面电极的背面副栅与局部n+重掺杂区域连接，烧结后完成局部背场N型太阳能电池的制备。