[发明专利]具有非对称源极/漏极的半导体器件有效
| 申请号： | 201610262462.X | 申请日： | 2016-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN106158969B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 郑钟基;姜明一;金伦楷;李宽钦 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括衬底、从所述衬底突出的有源鳍以及布置在所述有源鳍的上表面上的非对称菱形源极/漏极。所述源极/漏极包括第一晶体生长部分和第二晶体生长部分，第二晶体生长部分与第一晶体生长部分共享一个平面，并且第二晶体生长部分的下表面布置在比第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对称 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；有源鳍,其从所述衬底突出并且包括第一鳍区和凹进的第二鳍区；与所述第一鳍区交叉的栅极叠层；位于所述栅极叠层侧表面上的间隔件；覆盖所述有源鳍的下部的器件隔离层；以及布置在所述第二鳍区上的非对称源极/漏极，其中，每个源极/漏极包括第一晶体生长部分和第二晶体生长部分，所述第二晶体生长部分与所述第一晶体生长部分共享一个平面，并且所述第二晶体生长部分的下表面位于比所述第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。
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