[发明专利]具有非对称源极/漏极的半导体器件有效
| 申请号： | 201610262462.X | 申请日： | 2016-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN106158969B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 郑钟基;姜明一;金伦楷;李宽钦 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 对称 半导体器件 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610262462.X/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种眼镜饰片结构
- 下一篇：一种高精密平面度自动检测设备
- 同类专利
- 专利分类
