[发明专利]一种无需软击穿过程的阻变存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201610256942.5 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN105914295A | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 朱玮;李杰 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710064 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无需软击穿过程的阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器具有上下两个电极和位于上下电极中间的有源层，有源层材料为富铝的AlxOy纳米薄膜。一般的阻变存储器都需要一个软击穿过程来激发气阻变特性，但发明所示阻变存储器无需软击穿过程即可激发阻变特性，这是该器件在工业应用中的一个优势。同时，该存储器运行基于导电丝原理，同时采用物理与化学方法制备，器件具有制备简单，成本低廉等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无需 击穿 过程 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种无需软击穿过程的阻变存储器，其特征在于，包括硅衬底(1)，硅衬底(1)上依次设置有厚度为200～1000nm的底金属电极(5)、厚度为30～50nm的AlxOy薄膜(2)以及厚度为500～1000nm的顶金属电极(6)。
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