[发明专利]CMOS图像传感器的芯片级封装方法有效
| 申请号： | 201610249479.1 | 申请日： | 2016-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN105914215B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;邓辉 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L27/148 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种CMOS图像传感器的晶圆级封装方法，包括：提供晶圆，所述晶圆具有多个图像传感器芯片，所述图像传感器芯片相互之间具有切割道，每个所述图像传感器芯片具有感光区域和非感光区域，所述感光区域上具有像素单元，所述非感光区域上具有第一电极；提供支撑框架，所述支撑框架固定在所述图像传感器芯片上，所述支撑框架的内侧开口暴露出所述感光区域，所述支撑框架不完全遮盖第一电极，在第一电极和支撑框架的表面形成导电层，电学连接至支撑框架的顶部触点；沿所述切割道切割所述晶圆形成封装件。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 芯片级 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆具有多个图像传感器芯片，所述图像传感器芯片相互之间具有切割道，每个所述图像传感器芯片具有感光区域和非感光区域，所述感光区域上具有像素单元，所述非感光区域上具有第一电极；提供支撑框架，所述支撑框架固定在所述图像传感器芯片上，所述支撑框架的内侧开口暴露出所述感光区域，所述支撑框架不完全遮盖第一电极，在第一电极和支撑框架的表面形成导电层，电学连接至支撑框架的顶部触点；沿所述切割道切割所述晶圆形成封装件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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