[发明专利]一种集成双反馈的半导体混沌激光器

摘要

本发明涉及混沌激光领域，具体为一种集成双反馈的半导体混沌激光器。解决了目前混沌激光产生装置存在的体积庞大，易受环境影响、输出不稳定等技术问题。本发明采用双反馈可提高集成器件的混沌带宽，使频谱更加平坦。双腔结构消除了一般单腔集成激光器芯片的固定时延，双反馈腔长度相似但不相同，彻底消除了单腔光反馈混沌激光器的时延特性，提高了混沌通信的保密性、混沌激光测距的精准性以及随机数的随机性，可应用于通信、遥感、传感等领域。本方法仅用一个DFB激光器芯片、一个高性能光电探测器、一个平面透镜光纤就实现了混沌输出和探测，并且可实现混沌激光信号和混沌电信号的同时输出。本发明还具有集成结构体积小、成本低的优点。

主权项

1.一种集成双反馈的半导体混沌激光器，其特征在于，包括顺次排列且共轴的平面透镜光纤（1）、DFB激光器（2）和高性能光电探测器（3）；所述DFB激光器（2）的两侧端面均为出射端面；DFB激光器（2）靠近平面透镜光纤（1）一侧的端面为自然解理端面，镀增透膜，使其反射率为0.01；所述DFB激光器（2）靠近所述高性能光电探测器（3）一侧的端面为自然解理端面，镀增反膜，使该端面的反射率为0.5‑0.9；所述平面透镜光纤（1）靠近所述DFB激光器（2）一侧的端面镀反射率为0.9的透反膜，使从DFB激光器（2）传入平面透镜光纤（1）的光的一部分能够反射回DFB激光器（2），使其产生混沌激光，另一部分经由所述平面透镜光纤（1）输出；所述高性能光电探测器（3）靠近所述DFB激光器（2）一侧的端面镀反射率为0.9的透反膜；所述平面透镜光纤（1）与所述DFB激光器（2）相邻端面之间的直线距离≤12μm；所述高性能光电探测器（3）与所述DFB激光器（2）相邻端面之间的直线距离≤12μm；所述平面透镜光纤（1）与所述DFB激光器（2）相邻端面之间的直线距离和高性能光电探测器（3）与所述DFB激光器（2）相邻端面之间的直线距离的差值为±2μm。