[发明专利]一种双极性聚合物场效应晶体管及其制备方法与应用在审
申请号: | 201610244436.4 | 申请日: | 2016-04-19 |
公开(公告)号: | CN105679940A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 于贵;毛祖攀;郭云龙;陈华杰;张卫锋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院化学研究所 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅;王春霞 |
地址: | 100080 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种双极性聚合物场效应晶体管及其制备方法与应用。它由下至上依次为衬底、源漏电极、半导体层、绝缘层、栅极电极;所述绝缘层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯;其的制备方法,包括如下步骤:1)在衬底上沉积带有图案的源漏电极;2)在沉积有源漏电极的衬底上旋涂聚合物半导体,得到聚合物半导体层;3)在所述半导体层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯,得到绝缘层;4)在所述绝缘层上沉积栅极电极,即得到双极性聚合物场效应晶体管。本发明双极性聚合物场效应晶体管应用于有机电子学和集成电路加工中。本发明双极性聚合物场效应晶体管的电子和空穴的迁移率都得到了提高,且其制备方法简单易行。 | ||
搜索关键词: | 一种 极性 聚合物 场效应 晶体管 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种双极性聚合物场效应晶体管,其特征在于:它由下至上依次为衬底、源漏电极、半导体层、绝缘层、栅极电极;所述绝缘层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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