[发明专利]半导体装置及制造其的方法在审
| 申请号： | 201610242044.4 | 申请日： | 2016-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN106356361A | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 施旭强;谢盛祺;陈建桦;李德章 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及制造其的方法。半导体装置包括半导体衬底、第一电容器和第二电容器。该第一电容器包括第一导电层、第一绝缘层和第二导电层。该第一导电层布置在该衬底上。该第一绝缘层布置在该第一导电层上且具有第一周缘。该第二导电层布置在该第一绝缘层上且具有第二周缘。该第二电容器包括第三导电层、第二绝缘层和该第二导电层。该第二绝缘层布置在该第二导电层上且具有第三周缘。该第三导电层布置在该第二绝缘层上且具有第四周缘。该第一、第二、第三和第四周缘彼此对齐。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：半导体衬底；第一电容器，其包括第一导电层、第一绝缘层和第二导电层，该第一绝缘层具有第一周缘，且该第二导电层具有第二周缘；以及第二电容器，其包括第三导电层、第二绝缘层和该第二导电层，该第二绝缘层具有第三周缘，且该第三导电层具有第四周缘，其中该第一、第二、第三和第四周缘中的每一者的至少一侧彼此对齐。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司，未经日月光半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610242044.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体封装及其制造方法
- 下一篇：半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
