[发明专利]一种硫化氢气体的半导体传感器及测试电路在审
| 申请号： | 201610236486.8 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN105758894A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 俞伟伟;赵强;孙艳;陈鑫;张天宁;戴宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硫化氢气体的半导体传感器及测试电路，其传感器的前驱体采用化学方法制备的三氧化钨纳米材料，然后在表面上修饰氧化铜纳米颗粒的复合结构。气敏元件采用旁热式结构，该器件在55℃时，其灵敏度为105，并具有很好的选择性。通过单脉冲调制电压，响应恢复时间可以控制在65秒以内。本发明的传感器具有高灵密度、高选择性、并在低温下实现快速的响应、恢复。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化氢 气体 半导体 传感器 测试 电路 | ||
【主权项】：
一种硫化氢气体的半导体传感器，包括金电极(1)、气敏层(2)；Ni‑Cr合金加热电阻丝(3)、与气敏层(2)连接的两对管脚(4)，其特征在于：在气敏层(2)上层连接有金电极(1)，Ni‑Cr合金加热电阻丝(3)位于气敏层(2)上层，气敏层(2)的下层连接的两对管脚(4)；气敏层(2)为三氧化钨纳米与氧化铜纳米材料。
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