[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201610230485.2 | 申请日： | 2016-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN106057867B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 李正韩;李在焕;金相秀;崔桓昱;李泰宗;河承模 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括在基板上的由隔离层限定的多个有源鳍、在有源鳍和隔离层上的栅结构、以及覆盖栅结构的侧壁的栅间隔物结构。栅结构的侧壁包括分别具有第一坡度、第二坡度和第三坡度的第一区域、第二区域和第三区域。第二坡度从第二区域的底部朝向顶部增大。第二坡度在第二区域的底部具有小于第一坡度的值。第三坡度大于第二坡度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：在基板上的由隔离层限定的多个有源鳍，每个所述有源鳍在第一方向上延伸；在所述有源鳍和所述隔离层上的栅结构，所述栅结构在与所述第一方向交叉的第二方向上；以及覆盖所述栅结构的侧壁的栅间隔物结构，其中所述栅结构的在所述隔离层上的第一部分的侧壁包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域分别具有相对于所述基板的顶表面的第一坡度、第二坡度和第三坡度，所述第二坡度从所述第二区域的底部朝向顶部增大，所述第二坡度小于所述第一坡度，所述第三坡度大于所述第二坡度。
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