[发明专利]非遮光型薄膜晶体管、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201610228688.8 | 申请日： | 2016-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN105655410B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 邸云萍 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/16;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 郭栋梁 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜晶体管技术领域，提供了一种非遮光型薄膜晶体管以及包括该非遮光型薄膜晶体管的阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管结构为非遮光型底栅结构，其有源层由微晶硅有源层和非晶硅有源层两层构成；微晶硅有源层设置在栅绝缘层的上方，且其与源极和漏极相对应的两个区域分别伸出于栅极；非晶硅有源层仅存在于被栅电极遮挡的源极和漏极之间；这两层有源层薄膜的厚度可自由分配，微晶硅有源层可设置得尽量薄些，非晶硅有源层可设置得相对厚些，由此能够有效抑制背光照射下导致的关态电流上升，且能够提高TFT器件的迁移率和开态电流，增大开态电流与关态电流之比。 | ||
| 搜索关键词： | 遮光 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种非遮光型薄膜晶体管，其特征在于，包括形成在衬底基板一侧的栅极、栅绝缘层、微晶硅有源层、非晶硅有源层、源极和漏极、钝化层；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述微晶硅有源层探出于所述栅极，所述源极和漏极均延伸至所述栅极之内；所述非晶硅有源层形成于所述微晶硅有源层之上、并位于所述源极和漏极之间，所述非晶硅有源层在所述衬底基板上的正投影，与所述源极和漏极在所述衬底基板上的正投影之间无重叠区域。
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