[发明专利]非遮光型薄膜晶体管、阵列基板及显示装置有效

申请号：	201610228688.8	申请日：	2016-04-13
公开（公告）号：	CN105655410B	公开（公告）日：	2019-07-30
发明（设计）人：	邸云萍	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司
主分类号：	H01L29/786	分类号：	H01L29/786;H01L29/16;H01L27/12
代理公司：	北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435	代理人：	郭栋梁
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	遮光薄膜晶体管阵列显示装置
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【权利要求书】：

1.一种非遮光型薄膜晶体管，其特征在于，包括形成在衬底基板一侧的栅极、栅绝缘层、微晶硅有源层、非晶硅有源层、源极和漏极、钝化层；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述微晶硅有源层探出于所述栅极，所述源极和漏极均延伸至所述栅极之内；所述非晶硅有源层形成于所述微晶硅有源层之上、并位于所述源极和漏极之间，所述非晶硅有源层在所述衬底基板上的正投影，与所述源极和漏极在所述衬底基板上的正投影之间无重叠区域。

2.根据权利要求1所述的非遮光型薄膜晶体管，其特征在于，所述微晶硅层与所述源极和漏极之间均隔设有N⁺微晶硅层。

3.根据权利要求1所述的非遮光型薄膜晶体管，其特征在于，所述非晶硅有源层较所述微晶硅有源层厚。

4.据权利要求1所述的非遮光型薄膜晶体管，其特征在于，所述微晶硅有源层的厚度为30nm～50nm。

5.根据权利要求4所述的非遮光型薄膜晶体管，其特征在于，所述微晶硅有源层由内至外依次包括厚度为20nm～30nm晶化率为70％～80％的第一微晶硅薄膜层、厚度为10nm～20nm晶化率为60％～70％的第二微晶硅薄膜层和厚度为10nm～20nm晶化率为50％～60％的第三微晶硅薄膜层。

6.根据权利要求1所述的非遮光型薄膜晶体管，其特征在于，所述非晶硅有源层的厚度为40nm～60nm。

7.根据权利要求1所述的非遮光型薄膜晶体管，其特征在于，在所述微晶硅有源层与所述非晶硅有源层之间设有过渡层，所述过渡层为厚度为10nm～20nm晶化率为40％～50％的膜层。

8.根据权利要求1所述的非遮光型薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层的主要材质为SiNx。

9.根据权利要求1所述的非遮光型薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层的厚度为350nm～450nm。

10.根据权利要求1所述的非遮光型薄膜晶体管，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层包覆在所述源极、漏极和非晶硅有源层之外。

11.根据权利要求10所述的非遮光型薄膜晶体管，其特征在于，所述钝化层的材质为SiNx。

12.根据权利要求10所述的非遮光型薄膜晶体管，其特征在于，所述钝化层的厚度为400nm～600nm。

13.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-12任一项所述的非遮光型薄膜晶体管。