[发明专利]四元硒化物非线性光学晶体及其制备方法和其用途有效
| 申请号： | 201610227756.9 | 申请日： | 2016-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN105803531B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 刘毅;贾郁;刘畅;郑雪绒;吕达;赵震霆 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B1/00;G02F1/355 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种四元硒化物非线性光学晶体及其制备方法和用途。其化学式为ABSn2Se6，其中A为平衡阴离子骨架的碱金属Rb,Cs中的一种，B为ⅢA主族金属里Ga,In中的一种，属于三方晶系，R3空间群。采用真空高温固相法制得，以碱金属氯化物、镓单质(铟单质)、锡粉、硒粉为原料，在850℃条件下反应8‑12天，制备得到新颖结构的四元硒化物非线性光学晶体。本发明合成方法简单易行，原料成本低，反应条件温和。采用本方法制备的四元硒化物半导体材料，具有非线性光学信号，在非线性光学领域内如激光变频、远程传感等方面具有潜在的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 四元硒化物 非线性 光学 晶体 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种四元硒化物非线性光学晶体，其化学式为ABSn2Se6，其中A为平衡阴离子骨架的碱金属原子Rb, Cs中的一种，B为ⅢA主族金属里Ga, In中的一种，所述的四元硒化物非线性光学晶体属于三方晶系，R3空间群，该晶体具有非线性光学性能；所述的四元硒化物非线性光学晶体中：RbGaSn2Se6 、RbInSn2Se6 、CsGaSn2Se6 和CsInSn2Se6的能隙分别为1.77 eV、1.70 eV、1.87 eV和1.82 eV，属于半导体能隙范围。
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