[发明专利]一种具有高迁移率的非金属共掺杂ZnO透明导电薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有高迁移率的非金属共掺杂ZnO透明导电薄膜，该薄膜为生长于柔性衬底上的ZnO基薄膜，其化学组成为Zn_1-x-yA_xB_yO，其中0<x≦0.50，0<y≦0.40, A为氟、氯、硫、硒中的一种，B为硼、氢中的一种，且A和B的原子比例满足1<x:y≦10。制备该薄膜采用射频磁控溅射法，通过结合氢等离子处理和真空热退火的手段，从而制得导电性能良好的透明导电薄膜。本发明制备的薄膜结晶性能好，薄膜生长平整，光透过率在80%以上，电阻率可降至10^-3数量级，方阻可达到81.9。可应用在太阳能电池前电极、薄膜晶体管、紫外探测器、透明显示屏等领域。

主权项

具有高迁移率的非金属共掺杂ZnO透明导电薄膜，其特征在于，该薄膜为生长于柔性衬底上的ZnO基薄膜，其化学组成为Zn_1‑x‑yA_xB_yO，其中0<x≦0.50，0<y≦0.40, A为氟、氯、硫、硒中的一种，B为硼、氢中的一种，且A和B的原子比例满足1<x:y≦10。