[发明专利]光学传感器及其制造方法有效
申请号: | 201610217594.0 | 申请日: | 2016-04-08 |
公开(公告)号: | CN106057841B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 吕伦钟;孙正河;李周炯 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的示范实施方式提供一种光学传感器及其制造方法,该光学传感器包括:基板;红外线感测薄膜晶体管,包括第一半导体层和带通滤波器,该第一半导体层形成在基板上并布置为通过接收红外光而工作,该带通滤波器形成在基板上并将尺寸形成且布置为使红外光通过;可见光感测薄膜晶体管,包括第二半导体层,该第二半导体层形成在基板上并布置为通过接收可见光而工作;以及开关薄膜晶体管,包括形成在基板上的第三半导体层,其中带通滤波器可以由被图案化以具有特征的金属材料形成,相邻的特征彼此间隔开预定周期从而使红外光通过并阻挡可见光。 | ||
搜索关键词: | 光学 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光学传感器,包括:基板;红外线感测薄膜晶体管,包括第一半导体层和带通滤波器,所述第一半导体层形成在所述基板上并布置为通过接收红外光而工作,所述带通滤波器形成在所述基板上并将尺寸形成且布置为使所述红外光通过;可见光感测薄膜晶体管,包括第二半导体层,该第二半导体层形成在所述基板上并布置为通过接收可见光而工作;以及开关薄膜晶体管,包括形成在所述基板上的第三半导体层,其中所述带通滤波器包括被图案化而具有特征的金属材料,相邻的特征彼此间隔开预定周期以阻挡可见光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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