[发明专利]二极管以及二极管的制造方法在审
| 申请号： | 201610211107.X | 申请日： | 2016-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN106057912A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 三宅裕树;永冈达司;宫原真一朗;青井佐智子 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 苏萌萌;范文萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种二极管以及二极管的制造方法，该二极管使具有p型接触区和n型接触区的二极管的耐压提高。二极管具有：多个p型接触区，它们与阳极电极接触；n型接触区，其在相邻的两个p型接触区之间与阳极电极接触；阴极区，其被配置于p型接触区与n型接触区的背面侧，且与阴极电极接触。p型接触区具有：第一区域，其与阳极电极接触；第二区域，其被配置于第一区域的背面侧，并具有与第一区域的p型杂质浓度相比较低的p型杂质浓度；第三区域，其被配置于第二区域的背面侧，并具有与第二区域的p型杂质浓度相比较低的p型杂质浓度。所述第二区域的厚度与所述第一区域的厚度相比较厚。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种二极管，具备：半导体基板；阳极电极，其被形成在所述半导体基板的表面上；阴极电极，其被形成在所述半导体基板的背面上，所述半导体基板具有：多个p型接触区，它们与所述阳极电极接触；n型接触区，其被配置于相邻的两个所述p型接触区之间，并且与所述阳极电极接触；n型的阴极区，其被配置于所述p型接触区与所述n型接触区的背面侧，且与所述阴极电极接触，所述p型接触区具有：第一区域，其与所述阳极电极接触；第二区域，其被配置于所述第一区域的背面侧，并具有与所述第一区域的p型杂质浓度相比较低的p型杂质浓度，并且p型杂质浓度相对于其平均值分布在‑30％至+30％的范围内；第三区域，其被配置于所述第二区域的背面侧，并具有与所述第二区域的p型杂质浓度相比较低的p型杂质浓度，所述第二区域的厚度与所述第一区域的厚度相比较厚。
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