[发明专利]一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法

摘要

本发明涉及一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；步骤二、在表面声滤波芯片晶圆的电极区域制备第一金属层；步骤三、制备绝缘层用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层绝缘胶，将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除；步骤四、全蚀刻贴合晶圆并进行贴合取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆全蚀刻出后续需要植球的位置，然后将贴合晶圆通过粘合胶与表面声滤波芯片晶圆贴合在一起；步骤五、植球在植球的位置进行植球；步骤六、切割切割分成单颗产品。本发明一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，它能提供一种更小面积和体积的表面声滤波器件，并且具有更低的制造成本。

主权项

一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；步骤二、在表面声滤波芯片晶圆的电极区域制备第一金属层；步骤三、制备绝缘层用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除；步骤四、全蚀刻贴合晶圆并进行贴合取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆全蚀刻出后续需要植球的位置，然后将已经完成全蚀刻的贴合晶圆通过粘合胶与表面声滤波芯片晶圆贴合在一起，贴合晶圆需要植球的位置对应于表面声滤波芯片晶圆的电极金属层位置，从而在芯片感应区域上方形成空腔；步骤五、植球在植球的位置进行植球；步骤六、切割切割分成单颗产品。