[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201610200608.8 | 申请日: | 2016-03-31 |
公开(公告)号: | CN105810689B | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 宋博韬;林亮;马涛;王文龙;韩领;魏钰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴敬莲 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种制造阵列基板的方法,包括步骤在基板上形成薄膜晶体管,其中所述在基板上形成薄膜晶体管的步骤包括:在所述基板上形成第一导体层;在所述第一导体层上形成绝缘体层;在所述绝缘体层上形成至少一个公共孔连接至所述第一导体层;在所述绝缘体层上形成第二导体层的同时,在所述至少一个公共孔中的至少一部分公共孔中形成与所述第二导体层相同材料的第一连接部,所述第一连接部与所述第一导体层电接触。此外,本发明还公开了一种通过上述制造方法制造的阵列基板以及包括该阵列基板的显示装置。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种制造阵列基板的方法,包括步骤:在基板上形成薄膜晶体管,其中所述在基板上形成薄膜晶体管的步骤包括:在所述基板上形成第一导体层;在所述第一导体层上形成绝缘体层;在所述绝缘体层上形成至少一个公共孔连接至所述第一导体层;使用一次工艺在所述绝缘体层上形成第二导体层的同时,在所述至少一个公共孔中的至少一部分公共孔中形成与所述第二导体层相同材料的第一连接部,所述第一连接部与所述第一导体层电接触;其中,所述第一导体层包括所述薄膜晶体管的源、漏极图案及其引线,所述第二导体层包括所述薄膜晶体管的栅极图案,在所述绝缘体层上形成第二导体层的同时,在所述至少一个公共孔中的至少一部分公共孔中形成与所述第二导体层相同材料的第一连接部的步骤包括:在使用金属材料形成所述薄膜晶体管的栅极图案的同时,使用所述金属材料在所述至少一个公共孔中的至少一部分公共孔中形成第一连接部,所述第一连接部与所述薄膜晶体管的源、漏极图案的其中之一电接触;其中还包括步骤:在所述绝缘体层上形成第二导体层的同时,在所述至少一个公共孔中的其余公共孔中形成与所述第二导体层相同材料的第二连接部;其中,在所述绝缘体层上形成第二导体层的同时,在所述至少一个公共孔中的其余公共孔中形成与所述第二导体层相同材料的第二连接部的步骤包括:在使用金属材料形成所述薄膜晶体管的栅极图案的同时,使用所述金属材料在所述至少一个公共孔中的其余公共孔中形成第二连接部,所述第二连接部与所述薄膜晶体管的源、漏极图案的另一个电接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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