[发明专利]一种高维持电压的双向SCR保护结构

摘要

本发明涉及一种高维持电压的双向SCR保护结构，包括P型衬底、衬底P+掺杂区、N型深阱、衬底P+区、第一至第三N型阱、第一至第二P型阱、第一P+掺杂区、第一N+掺杂区、第一至第二触发P+掺杂区、第三N+掺杂区和第三P+掺杂区，所述第一N+掺杂区、第一P+掺杂区和第一N型阱形成NPN晶体管Q1，所述第三N+掺杂区、第三P+掺杂区和第一N阱形成NPN晶体管Q2，所述第一P型阱、第一N型阱和第二P型阱形成PNP晶体管Q3；还包括与第一N+掺杂区形成电流泄放通道的第一电流泄放结构和与第三N+掺杂区形成电流泄放通道的第二电流泄放结构。本发明在双向SCR的主通路上并联寄生的泄流晶体管，提高SCR维持电压的同时，不影响器件的失效电流，保持与传统结构相同保护能力。

主权项

一种高维持电压的双向SCR保护结构，包括P型衬底、衬底P+掺杂区、N型深阱、衬底P+区、第一N型阱、第二N型阱、第三N型阱、第一P型阱、第二P型阱、第一P+掺杂区、第一N+掺杂区、第一触发P+掺杂区、第二触发P+掺杂区、第三N+掺杂区和第三P+掺杂区，所述第一N+掺杂区、第一P+掺杂区和第一N型阱形成NPN晶体管Q1，所述第三N+掺杂区、第三P+掺杂区和第一N阱形成NPN晶体管Q2，所述第一P型阱、第一N型阱和第二P型阱形成PNP晶体管Q3；NPN晶体管Q1、NPN晶体管Q2和PNP晶体管Q3，形成双向SCR的主通路；其特征在于：还包括与第一N+掺杂区形成电流泄放通道的第一电流泄放结构和与第三N+掺杂区形成电流泄放通道的第二电流泄放结构；所述第一电流泄放通道并联于NPN晶体管Q1的基极与发射极之间，所述第二电流泄放通道并联于NPN晶体管Q2的基极与发射极之间，所述第一电流泄放结构分别与第一N+掺杂区、第一触发P+掺杂区具有一定距离；所述第二电流泄放结构分别与第二触发P+掺杂区、第三N+掺杂区具有一定距离。